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| 光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究 | |
| 作者姓名： | 谭小波 闫欣 易涛 何凯 邵铮铮 周凯凯 高贵龙 汪韬 张军 庄钊文 |
| 摘 要： | 利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究.结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120:1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm.该研究对于光折变... |
| 关 键 词： | 光折变效应 X射线成像 超快成像 空间分辨率 动态范围 |