| 聚偏二氟乙烯晶体的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 程和平,陈光华,覃睿,但加坤,黄智蒙,彭辉,陈图南,雷江波.聚偏二氟乙烯晶体的电子结构和光学性质[J].物理化学学报,2014(2). |
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| 作者姓名： | 程和平 陈光华 覃睿 但加坤 黄智蒙 彭辉 陈图南 雷江波 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院流体物理研究所;黄山学院机电与信息工程学院应用物理研究所;北京理工大学爆炸科学技术国家重点实验室;第三军医大学西南医院神经外科研究所; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11272298,11204281);国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金(U1230128);中国工程物理研究院科学技术发展基金(2013B0102003)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 利用含Tkatchenko-Scheffler(TS)色散修正的密度泛函理论的第一性原理方法对九种聚偏二氟乙烯(PVDF)晶相的电子结构和光学性质进行了计算.结果表明,PVDF晶体作为一种绝缘体,能带具有密集且平直等特征,其带隙值在6.05-7.34 eV之间,且和实验值接近.价带主要是F原子的2s和2p态起主要贡献,导带主要由C原子的2p态和H原子的1s态共同参与构成.在0-35 eV光子能量范围内,介电函数、吸收率、反射率和折射率等光学性质发生变化主要在深紫外区域.根据介电函数等光学参数的谱特点,可以将九种PVDF的晶相划分为{Ip},{IIpu},{IIau,IIad,IIpd,IIIpu},{IIIau,IIIad,IIIpd}等四类,每一类都具有相似的光学参数特点.
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| 关 键 词： | 聚偏二氟乙烯 电子结构 光学性质 第一性原理 |
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