首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

ZnO本征缺陷的第一性原理计算
引用本文:万齐欣,熊志华,刘国栋,李冬梅,江风益.ZnO本征缺陷的第一性原理计算[J].南昌大学学报(理科版),2008,32(6):1.
作者姓名:万齐欣  熊志华  刘国栋  李冬梅  江风益
作者单位:南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心; 江西科技师范学院江西光电子与通信重点实验室;
基金项目:863纳米专项基金资助项目(2003AA302160); 863光电子主课题资助项目(2005AA311010); 江西科技师院校级课题资助项目(KY20072Y011)
摘    要:采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者

关 键 词:电子结构  ZnO  第一性原理  

First-principles Calculation of Native Point Defects in ZnO
WAN Qi-xin,XIONG Zhi-hua,LIU Guo-dong,LI Dong-mei,JIANG Feng-yi.First-principles Calculation of Native Point Defects in ZnO[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2008,32(6):1.
Authors:WAN Qi-xin  XIONG Zhi-hua  LIU Guo-dong  LI Dong-mei  JIANG Feng-yi
Abstract:Using first-principles methods based on density functional theory and pseudopotentials,a study on native point defects in ZnO has been performed.The calculated conclusions which include the geometric structure,the formation energy and the electronic structure of ZnO with native point defects reveal that oxygen antisites,oxygen interstitials and zinc vacancies behave as acceptors while zinc antisites and zinc interstitials are donors.Furthermore,the formation energy of zinc interstitials is smallest.As a res...
Keywords:ZnO  First-principles  electronic structure  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《南昌大学学报(理科版)》浏览原始摘要信息
点击此处可从《南昌大学学报(理科版)》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号