| 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 |
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| 作者姓名： | 郑剑 乔倩 张振中 王立昆 韩舜 张吉英 刘益春 王双鹏 陈星 姜明明 李炳辉 赵东旭 刘雷 刘可为 单崇新 申德振 |
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| 作者单位： | 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;浙江海洋学院船舶与海洋工程学院;东北师范大学先进光电功能材料研究中心 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CB302006,2011CB302002);国家自然科学基金(11134009,61376054,11174273,11104265,61177040)资助项目 |
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| 摘 要： | 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。
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| 关 键 词： | 立方MgZnO 深紫外探测器 光导增益 |
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