| 用MOS方法研究四元混晶In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)中的深能级中心 |
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| 引用本文： | 鲍庆成,王启明,彭怀德,朱龙德,高季林.用MOS方法研究四元混晶In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)中的深能级中心[J].物理学报,1983(9). |
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| 作者姓名： | 鲍庆成 王启明 彭怀德 朱龙德 高季林 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 研究生 中国科学院长春物理研究所 |
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| 摘 要： | 采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10~(-16)cm~2和3.8×10~(-12)cm~2。 关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。
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