| RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制 |
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| 引用本文： | 胡小波,王继扬,魏景谦,崔伟红,刘宏,刘耀岗. RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(3): 219-225 |
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| 作者姓名： | 胡小波 王继扬 魏景谦 崔伟红 刘宏 刘耀岗 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 摘 要： | 采用溶盐法生长了大尺寸ＲｂｉＯＡｓＯ４晶体。利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法,研究了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体中的生长缺陷。发现该晶体中的生长缺陷主要生长位错和生长扇界。大部分位钷沿「１００」方向,Ｂｕｒｇｅｒｓ适量为「００１」。在扫描电镜下,对原生ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体的表面形态进行了观察,根据其表面二次电子像的特征,对不同晶面的生长控制机制进行了讨论。
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| 关 键 词： | RbTiOAsO4晶体 位错 生长扇界 生长机制 同步辐射形貌术 非线性光学晶体 |
Growth Defects and Growth Mechanisms of RbTiOAsO4 Crystals |
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| Hu Xiaobo,Wang Jiyang,Wei Jingqian,Cui Weihong,Liu Hong,Liu Yaogang. Growth Defects and Growth Mechanisms of RbTiOAsO4 Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1999, 28(3): 219-225 |
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| Authors: | Hu Xiaobo Wang Jiyang Wei Jingqian Cui Weihong Liu Hong Liu Yaogang |
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