Non-Condon效应对电子转移速率影响的理论模拟及其在有机半导体中的应用 |
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引用本文: | 张伟伟,赵仪,梁万珍.Non-Condon效应对电子转移速率影响的理论模拟及其在有机半导体中的应用[J].中国科学:化学,2011(4):569-578. |
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作者姓名: | 张伟伟 赵仪 梁万珍 |
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作者单位: | [1]固体表面物理化学国家重点实验室;福建省理论与计算化学重点实验室,厦门大学化学化工学院,厦门361005 [2]合肥微尺度物质科学国家实验室;中国科学技术大学化学物理系,合肥230026 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(20833004 21073146)的资助
致谢 本工作得到国家自然科学基金(20833004,21073146)的资助,特此致谢 |
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摘 要: | 随着Condon近似下各种电子转移理论的不断发展与完善和人们对non-Condon效应在电子转移过程中重要作用认识的逐步深入,已建立了几个理论模型来研究这种效应对电子转移速率的影响.本文主要总结了近两年来我们在non-Condon效应电子转移理论方面的工作,首先阐述了指数型、高斯型以及直线型non-Condon电子转移速率的全量子表达式,然后运用该理论模型以及分子动力学模拟计算了二噻吩四硫富瓦烯(DT-TTF)有机半导体的迁移率.此外,还进一步利用数值模拟详细研究了这三种线型的non-Condon效应在量子尺度上对电子转移速率的影响.
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关 键 词: | 电子转移速率 Condon近似 non-Condon效应 迁移率 分子动力学模拟 |
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