| 不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性 |
| |
| 引用本文： | 吴桐,郝智彪,唐广,郭文平,胡卉,孙长征,罗毅.不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性[J].半导体学报,2003,24(11):1130-1134. |
| |
| 作者姓名： | 吴桐 郝智彪 唐广 郭文平 胡卉 孙长征 罗毅 |
| |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室，北京100084 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;60244001; |
| |
| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相外延技术研究了Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同Al Ga N层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和10 0 m S/ mm的最大跨导.
|
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件 |
Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer |
| |
| Wu Tong,HAO Zhibiao,Tang Guang,GUO Wenping,Hu Hui,Sun Changzheng,Luo Yi.Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(11):1130-1134. |
| |
| Authors: | Wu Tong HAO Zhibiao Tang Guang GUO Wenping Hu Hui Sun Changzheng Luo Yi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | HEMT GaN power devices |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
