| 摩擦Mura机理和设计改善方法 |
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| 引用本文： | 高荣荣,刘俊豪,周保全,汪剑成,张周生,左爱翠,陈维诚. 摩擦Mura机理和设计改善方法[J]. 液晶与显示, 2019, 0(6): 570-575 |
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| 作者姓名： | 高荣荣 刘俊豪 周保全 汪剑成 张周生 左爱翠 陈维诚 |
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| 作者单位： | 合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂 |
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| 摘 要： | 摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质,摩擦时对摩擦布损伤较大,摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大,摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤,设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响,孔径直径(5μm)<摩擦布毛直径(11μm),密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例,对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化,摩擦Mura发生率从5%降至0%,改善效果明显。
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| 关 键 词： | 摩擦Mura 设计因素 ITO 段差(漏极线) 过孔密度 |
Mechanism and design improvement on Rubbing Mura |
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| GAO Rong-rong,LIU Jun-hao,ZHOU Bao-quan,WANG Jian-cheng,ZHANG Zhou-sheng,ZUO Ai-cui,CHEN Wei-cheng. Mechanism and design improvement on Rubbing Mura[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2019, 0(6): 570-575 |
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| Authors: | GAO Rong-rong LIU Jun-hao ZHOU Bao-quan WANG Jian-cheng ZHANG Zhou-sheng ZUO Ai-cui CHEN Wei-cheng |
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| Affiliation: | (Cell Department of Hefei BOE Display Technology Co., Ltd., Hefei 230012, China) |
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| Abstract: | GAO Rong-rong;LIU Jun-hao;ZHOU Bao-quan;WANG Jian-cheng;ZHANG Zhou-sheng;ZUO Ai-cui;CHEN Wei-cheng(Cell Department of Hefei BOE Display Technology Co., Ltd., Hefei 230012, China) |
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| Keywords: | Rubbing Mura design influence ITO height(source data) via -hole density |
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