| 修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜 |
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| 引用本文： | 郑华靖,蒋亚东,徐建华,杨亚杰.修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜[J].化学学报,2010,68(16):1661-1667. |
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| 作者姓名： | 郑华靖 蒋亚东 徐建华 杨亚杰 |
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| 作者单位： | (电子科技大学光电信息学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054) |
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| 摘 要： | 采用修饰Langmuir-Blodget(LB)膜法以二十烷酸(AA) LB膜为模板, 通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合, 制备了AA/PEDOT复合LB膜. 实验分析表明薄膜具有较好的层状有序结构, 并进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性, 这与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关; 研究了薄膜导电性能, 发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变, 这与多层膜中导电通道的“渝渗”有关, 在有效导电网络连通后电导率发生了突变. 测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和十八胺-硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOT-PSS)复合膜.
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| 关 键 词： | PEDOT LB膜法 光电性能 测量 |
PEDOT Prepared through a Modified LB Film Method |
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| Zheng,Huajing,Jiang,Yadong,Xu,Jianhua,Yang,Yajie.PEDOT Prepared through a Modified LB Film Method[J].Acta Chimica Sinica,2010,68(16):1661-1667. |
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| Authors: | Zheng Huajing Jiang Yadong Xu Jianhua Yang Yajie |
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| Institution: | (State Key Laboratory of Electronic Thin Films & Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PEDOT |
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