| 制备全光功能开关的多量子阱材料设计 |
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| 引用本文： | 毕洁,黄德修,王涛. 制备全光功能开关的多量子阱材料设计[J]. 光学与光电技术, 2006, 4(5): 63-65 |
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| 作者姓名： | 毕洁 黄德修 王涛 |
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| 作者单位： | 华中科技大学光电子工程系,武汉,430074;中国地质大学数理学院,武汉,430074;华中科技大学光电子工程系,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算,利用更符合实验结果的Harrison模型来计算带阶,分别就晶格匹配和应变补偿两种情况进行了比较计算,最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择,得到最适合于制作光开关的材料.
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| 关 键 词： | 全光功能开关 自旋弛豫时间 InGaAsP 组分 阱宽 |
| 文章编号： | 1672-3392（2006）05-0063-03 |
| 收稿时间： | 2006-02-15 |
| 修稿时间： | 2006-05-31 |
Design of Multiple Quantum Wells in All Optical Polarization Switching |
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| BI Jie,HUANG De-xiu,WANG Tao. Design of Multiple Quantum Wells in All Optical Polarization Switching[J]. optics&optoelectronic technology, 2006, 4(5): 63-65 |
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| Authors: | BI Jie HUANG De-xiu WANG Tao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | all optical polarization switching spin relaxation time InGaAsP composition well width |
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