| 长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析 |
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| 引用本文： | 曾戈虹.长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析[J].红外技术,1994,16(6):16-19. |
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| 作者姓名： | 曾戈虹 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。
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| 关 键 词： | HgCdTe 光伏器件 漏电 光伏探测器 |
Leakage Mechanisms of LW HgCdTe Photodiodes and the Technical Solutions |
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| Zeng Gehong.Leakage Mechanisms of LW HgCdTe Photodiodes and the Technical Solutions[J].Infrared Technology,1994,16(6):16-19. |
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| Authors: | Zeng Gehong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe Photodiode Leakage current Junction resistance |
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