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硅直接键合工艺对晶片平整度的要求
引用本文:
付兴华,黄庆安.硅直接键合工艺对晶片平整度的要求[J].电子科学学刊,1994,16(3):290-295.
作者姓名:
付兴华
黄庆安
摘 要:
本文用弹性力学近似,给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系,并用X射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。
关 键 词:
硅
键合工艺
晶片
平整度
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