| Fe(Ⅲ)螯合掺杂对g-C3N4光催化性能和活性位的影响(英文) |
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| 作者姓名： | 刘桂梅 董国辉 曾玉彬 王传义 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学动力与机械学院;2. 陕西科技大学环境科学与工程学院 |
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| 基金项目： | supported by the National Nature Science Foundation of China (21876104,21603271,U1703129)~~； |
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| 摘 要： | 元素掺杂是一种简单有效的光催化剂改性方法.已有诸多文献报道采用非金属元素(B、P、S)或金属元素(Na+, Ni3+,Co3+, Cu2+)对g-C3N4进行掺杂改性,但目前对金属掺杂的模型和影响机理尚不清晰.g-C3N4作为层状材料,它的表面和边缘有大量的胺基,它对光生载流子的传输起到重要作用.此外,胺基可以与金属通过配位键形成螯合物;与胺基螯合的金属由于其功函数较小,可以捕获半导体的光生电子,并有利于降低光生载流子的复合.本文选用Fe(Ⅲ)对g-C3N4进行掺杂改性, SEM-EDS表明, C和N元素均匀分布在g-C3N4整个骨架上,而Fe元素主要分布在g-C3N4边缘部分;FTIR结果发现,掺杂Fe后, N-Hx伸缩振动峰强度随着掺杂量的增加而降低,证明Fe(Ⅲ)与g-C
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| 关 键 词： | 螯合掺杂 g-C3N4 光催化 Fe(Ⅲ) 一氧化氮去除 |
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