| 纳秒和亚纳秒级固态器件高压脉冲源的研制 |
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| 引用本文： | 刘春平,龚向东,黄虹宾,李景镇.纳秒和亚纳秒级固态器件高压脉冲源的研制[J].电讯技术,2009,49(8). |
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| 作者姓名： | 刘春平 龚向东 黄虹宾 李景镇 |
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| 作者单位： | 深圳市微纳光子信息技术重点实验室,广东,深圳518060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，深圳市科技局资助项目 |
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| 摘 要： | 固态器件能产生纳秒甚至亚纳秒级的开关时间,利用固态器件制成的高压脉冲源,广泛应用于激光脉冲开关、探地雷达、高速相机等低功率场合.在各种固态器件中,雪崩三极管最为常用.给出了雪崩三极管在几种典型的电路条件下的雪崩特性曲线,分析了雪崩过程中工作点的移动和电路的动态过程.分别对2N5551和ZTX415两种管子进行了实验,实验电路采用15只雪崩三极管串接,获得了幅度4000V、前沿时间小于5ns的脉冲输出.实验结果表明,两种管子在开关速度和输出电压上相当,但ZTX415性能更加稳定,可靠性更好.
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| 关 键 词： | 固态器件 雪崩三极管 雪崩特性曲线 高压脉冲 |
Development of a Nano and Sub-nanosecond Solid State Device High Voltage Pulser |
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| LIU Chun-ping,GONG Xiang-dong,HUANG Hong-bin,LI Jing-zhen.Development of a Nano and Sub-nanosecond Solid State Device High Voltage Pulser[J].Telecommunication Engineering,2009,49(8). |
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| Authors: | LIU Chun-ping GONG Xiang-dong HUANG Hong-bin LI Jing-zhen |
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