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| 一种基于疲劳损伤的MEMS金属薄膜电阻退化模型 | |
| 作者姓名： | 陈传龙 沈辉 戴隆超 陈玄奕 张锦烨 程家幸 |
| 作者单位： | 1. 扬州大学机械工程学院;2. 清华大学微电子学研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(12301537)； |
| 摘 要： | 微机电系统(Microelectromechanical System, MEMS)器件的疲劳可靠性问题往往可追溯到某一关键元件的性能退化．更本质的，其失效机理往往又可追溯到材料的微缺陷演化．因此，建立一种MEMS元件的材料微缺陷演化模型对探究失效机理意义重大．本文基于连续介质损伤力学理论方法对MEMS金属薄膜建立了微缺陷表征的损伤模型，进一步建立了电阻退化模型．通过本模型的建立，在一定工况条件下，可以预测基于电阻性能的MEMS薄膜可靠性问题．对建立的模型进行反演分析，结果与试验数据对比较好，验证了模型建立的正确性．本文为研究MEMS的疲劳失效机理及可靠性优化策略提供了重要理论基础． |
| 关 键 词： | 微机电系统 损伤力学 可靠性 电阻退化模型 |