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Nd:LuVO4晶体的生长及其性能研究
引用本文:赵守仁,张怀金,胡小波,孔海宽,刘均海,徐现刚,王继扬,蒋民华.Nd:LuVO4晶体的生长及其性能研究[J].人工晶体学报,2004,33(3):363-366.
作者姓名:赵守仁  张怀金  胡小波  孔海宽  刘均海  徐现刚  王继扬  蒋民华
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
摘    要:采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3反应制备多晶料;所生长Nd0.01Lu0.99VO4晶体为16×20×21 mm3,质量超过40g.以X射线荧光分析仪测得其生长中各主要元素的分凝系数.其中Nd3+约为0.91,V3+和Lu3+接近1.还测定了其介电常数ε11=27.2,ε33=33.9(30℃,1kHz),以同步辐射X射线白光形貌术观察了其内部质量.

关 键 词:Nd:LuVO4  提拉法  分凝系数  介电常数  同步辐射形貌  
文章编号:1000-985X(2004)03-0363-04

Growth and Some Properties of Nd:LuVO4 Crystal
ZHAO Shou-ren,ZHANG Huai-jin,HU Xiao-bo,KONG Hai-kuan,LIU Jun-hai,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,JIANG Min-hua.Growth and Some Properties of Nd:LuVO4 Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(3):363-366.
Authors:ZHAO Shou-ren  ZHANG Huai-jin  HU Xiao-bo  KONG Hai-kuan  LIU Jun-hai  XU Xian-gang  WANG Ji-yang  JIANG Min-hua
Abstract:
Keywords:Nd:LuVO_4 crystal  Czochralski method  segregation coefficient  dielectric constant  synchrotron topography
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