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| 用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体 | |
| 引用本文： | 陈记安,关振东,赖德生.用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体[J].激光与红外,1986(4). |
| 作者姓名： | 陈记安 关振东 赖德生 |
| 摘 要： | 1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单晶的生长进行了多次试验,证实这种方法是一种高精度的薄膜生长技术。1971年Manasevit和Simpson最先报导了采用MOCVD法生长Ⅱ-Ⅵ化合物晶体 |
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