|
|||||
|
|
| 沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究 | |
| 作者姓名： | 刘静 武瑜 高勇 |
| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61204094);高等学校博士学科点专向科研基金(批准号:20106118120003);陕西省工业攻关(批准号:2014K08-30);陕西省教育厅科学研究计划(批准号:11JK0924)资助的课题~~ |
| 摘 要： | 提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变;侧墙宽度增加,频率性能降低. |
| 关 键 词： | SiGe异质结双极晶体管 沟槽型发射极 发射极电阻 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |