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| 1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管 | |
| 引用本文： | 王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德圣.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J].固体电子学研究与进展,2012,32(4):356-360,397. |
| 作者姓名： | 王因生 丁晓明 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。 |
| 关 键 词： | 硅 微波 功率管 镇流电阻 |
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