| 温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响 |
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| 引用本文： | 靳锐敏,卢景霄,扬仕娥,王海燕,李瑞,冯团辉,段启亮.温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响[J].电子元件与材料,2005,24(8):41-42. |
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| 作者姓名： | 靳锐敏 卢景霄 扬仕娥 王海燕 李瑞 冯团辉 段启亮 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
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| 关 键 词： | 无机非金属材料 PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 二次晶化 |
| 文章编号： | 1001-2028(2005)08-0041-02 |
Investigations on the Solid-phase Crystallization of Amorphous Silicon Films |
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| JIN Rui-min,LU Jing-xiao,YANG Shi-e,WANG Hai-yan,LI Rui,FENG Tuan-hui,DUAN Qi-liang.Investigations on the Solid-phase Crystallization of Amorphous Silicon Films[J].Electronic Components & Materials,2005,24(8):41-42. |
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| Authors: | JIN Rui-min LU Jing-xiao YANG Shi-e WANG Hai-yan LI Rui FENG Tuan-hui DUAN Qi-liang |
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| Abstract: | Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at defferent substrate temperatures 30, 350, 450℃ and annealed at 600℃ and 850℃ in a N2 atomospheres was studied by using micro-Raman scattering and scanning electron microscope.It can be seen that the better crystallization with higher annealed temperature. An maximal grain size of 900 nm is obtained deposited at 450℃ and annealed at 850℃. |
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| Keywords: | inorganic non-metallic materials PECVD a-Si:H film poly crystal Si film recrystallization |
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