| 铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光 |
| |
| 引用本文： | 王涛,潘孝军,张振兴,李晖,谢二庆.铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光[J].中国稀土学报,2008,26(2):244-248. |
| |
| 作者姓名： | 王涛 潘孝军 张振兴 李晖 谢二庆 |
| |
| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
| |
| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
| |
| 摘 要： | 利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN：Tb薄膜。XRD结果显示，该薄膜为纳米晶结构，根据Scherrer公式，计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4．8nm；紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75％，同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3．07eV；测量了薄膜的室温光致发光谱，获得了Tb^3＋在可见光区（位于497．0，552．4，594．2以及627．8nm）的本征发光。
|
| 关 键 词： | 反应溅射 nc-GaN薄膜 Tb掺杂 光致发光 稀土 掺杂纳米晶 薄膜 室温 光致发光谱 Luminescence Visible Room Temperature 本征 测量 光学带隙 公式计算 平均透过率 可见光 紫外可见 大小 晶粒 晶结构 显示 结果 法制 |
| 文章编号： | 1000-4343(2008)02-0244-05 |
| 修稿时间： | 2007年9月14日 |
Visible Luminescence of nc-GaN:Tb Film at Room Temperature |
| |
| Wang Tao,Pan Xiaojun,Zhang Zhenxing,Li Hui,Xie Erqing.Visible Luminescence of nc-GaN:Tb Film at Room Temperature[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2008,26(2):244-248. |
| |
| Authors: | Wang Tao Pan Xiaojun Zhang Zhenxing Li Hui Xie Erqing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
