| 电子枪理论研究的新进展 |
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| 引用本文： | 陈文雄,徐军,张会珍,陈莉.电子枪理论研究的新进展[J].电子显微学报,2006,25(6):455-462. |
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| 作者姓名： | 陈文雄 徐军 张会珍 陈莉 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院电镜室,北京,100871;北京大学物理学院电镜室,北京,100871;北京大学物理学院电镜室,北京,100871;北京大学物理学院电镜室,北京,100871 |
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| 摘 要： | 本文简要回顾了电子枪发展的历史，评述了电子枪理论研究方面的新进展，重点介绍了日本学者Fujita和Shimoyama的新近研究成果。最新的研究表明，对冷场发射和扩展的肖特基发射电子枪，存在阈值电流。当束流，Ib增大，超过阈值电流时，枪的表观亮度逐渐下降。当对整个电子光学柱体进行评价时，必须把亮度和束流的函数关系考虑在内。这时会出现关于电子枪的若干新概念。整个电子光学柱体的电子探针性质曲线由三个区域组成，即：（1）恒定束斑（d）区；（2）d∝I3/8b，妒区；（3）d∝I3/2b区。以往的理论只指出了3／8次方区的存在。3／2次方区的存在是一个新的发现。它解释了历史上曾注意到的一个事实，即当应用的束流进入μA量级时，扩展的肖特基发射和冷场发射枪的性能反而不如传统的钨丝热发射枪。
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| 关 键 词： | 扩展的肖特基发射电子枪 电子枪焦距 阈值电流 电子枪像差 3/8次方和3/2次方区 电子探针性质 |
| 文章编号： | 1000-6281（2006）06-0455-08 |
| 收稿时间： | 2006-07-21 |
| 修稿时间： | 2006-07-212006-09-01 |
Advances in electron gun theory research |
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| CHEN Wen-xiong,XU Jun,ZHANG Hui-zhen,CHEN Li.Advances in electron gun theory research[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2006,25(6):455-462. |
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| Authors: | CHEN Wen-xiong XU Jun ZHANG Hui-zhen CHEN Li |
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| Institution: | Electron Microscopy Laboratory, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | extended schottky emission electron gun focal length of electron gun threshold current gun aberrations region of 3/8 power region of 3/2 power electron probe property |
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