|
|||||
|
|
| n-InP旋转圆环圆盘电极在光跃下环暂态电流研究 | |
| 引用本文： | 钱道荪,蔡东辰,沈天憬.n-InP旋转圆环圆盘电极在光跃下环暂态电流研究[J].物理化学学报,1990(5). |
| 作者姓名： | 钱道荪 蔡东辰 沈天憬 |
| 作者单位： | 上海交通大学应用化学系 (钱道荪，蔡东辰)，上海交通大学应用化学系(沈天憬) |
| 摘 要： | 半导体盘金属环旋转环盘电极在光强阶跃下环电流暂态技术的研究在文献上尚较少报道,Franco Decker对SrTiO_3进行了半定量研究,本文研究了n-InP电极,并对实验结果进行了定量处理及讨论. 实验部分实验装置如图1所示,半导体电极为n-InP(100)面,N_0=2×10~(17)cm~(-3)],环用金,盘半径R_1,环内径R_2及外径R_3用读数显微镜测定,其值分别为3.76±0.2mm,4.24±0.04mm及6.05±0.06mm.溶液为0.101mol·L~(-1)K_4Fe(CN)_6,参比电极用铂丝同时电解池经屏蔽 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |