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| 光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究EI北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 谭小波 闫欣 易涛 何凯 邵铮铮 周凯凯 高贵龙 汪韬 张军 庄钊文 |
| 作者单位： | 1.国防科技大学电子科学学院410073;2.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室710119;3.中国工程物理研究院激光聚变研究中心621900; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.51302316)。 |
| 摘 要： | 利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究。结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120∶1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm。该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义。 |
| 关 键 词： | 光折变效应 X射线成像 超快成像 空间分辨率 动态范围 |
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