| 一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法 |
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| 引用本文： | 李织纯,吕渊婷,张傲,高建军.一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):85-90. |
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| 作者姓名： | 李织纯 吕渊婷 张傲 高建军 |
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| 作者单位： | 华东师范大学 物理与电子科学学院，上海 200241,华东师范大学 物理与电子科学学院，上海 200241,南通大学 交通与土木工程学院，江苏 南通 226019,华东师范大学 物理与电子科学学院，上海 200241 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （62201293，62034003） |
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| 摘 要： | 提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法，该方法利用了特殊偏置点 （Vgs > Vth， Vds = 0 V）的等效电路模型， 推导了寄生电阻的表达式，采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致，证明该方法是有效的。
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| 关 键 词： | 铟化磷高电子迁移率晶体管 等效电路模型 寄生电阻 器件建模 |
| 收稿时间： | 2023/5/23 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/11/6 0:00:00 |
An improved method for determination of extrinsic resistances for HEMT devices based on 110 GHz S-parameters on-wafer measurement |
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| LI Zhi-Chun,LYU Yuan-Ting,ZHANG Ao and GAO Jian-Jun.An improved method for determination of extrinsic resistances for HEMT devices based on 110 GHz S-parameters on-wafer measurement[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2024,43(1):85-90. |
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| Authors: | LI Zhi-Chun LYU Yuan-Ting ZHANG Ao and GAO Jian-Jun |
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