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CMOS/SOD电路的高温工作特性
引用本文:
顾长志,金曾孙,孟强,邹广田,陆剑侠,苏秀娣,许仲德,姚达,王怀荣.CMOS/SOD电路的高温工作特性[J].半导体学报,1997,18(9):688-691.
作者姓名:
顾长志
金曾孙
孟强
邹广田
陆剑侠
苏秀娣
许仲德
姚达
王怀荣
作者单位:
吉林大学超硬材料国家重点实验室
摘 要:
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层,利用金刚石膜上的薄层硅(SOD)技术,制作了54HCTO3CMOS/SOD结构的集成电路.对该电路高温下的工作特性进行了研究.结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能,其工作温度明显高于体硅电路。
关 键 词:
金刚石膜
CMOS/SOD
IC
高温工作特性
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