| 掩模版复印工艺图形畸变分析与改进 |
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| 引用本文： | 束名扬,周文,陈栋豪.掩模版复印工艺图形畸变分析与改进[J].半导体光电,2020,41(5):681-684. |
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| 作者姓名： | 束名扬 周文 陈栋豪 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 211100 |
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| 摘 要： | 批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。
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| 关 键 词： | 掩模版 复印工艺 图形畸变 衍射 光刻 |
| 收稿时间： | 2020/4/8 0:00:00 |
Analysis and Improvement of the Graphic Distortion in Mask Copying Process |
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| SHU Mingyang,ZHOU Wen,CHEN Donghao.Analysis and Improvement of the Graphic Distortion in Mask Copying Process[J].Semiconductor Optoelectronics,2020,41(5):681-684. |
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| Authors: | SHU Mingyang ZHOU Wen CHEN Donghao |
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| Institution: | The 55th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Nanjing 211100, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | mask copying process graphic distortion diffraction lithography |
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