|
|||||
|
|
| ZnS∶TbF_3薄膜电致发光器件性能的研究 | |
| 引用本文： | 何大伟,杨胜,王永生,徐叙瑢.ZnS∶TbF_3薄膜电致发光器件性能的研究[J].中国稀土学报,2001,19(6). |
| 作者姓名： | 何大伟 杨胜 王永生 徐叙瑢 |
| 作者单位： | 北方交通大学光电子技术研究所, |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (5 9982 0 0 1)，北京市自然科学基金 (4 0 12 0 10 )资助项目 |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS∶TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS∶TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响 ,诸如 ,磁控溅射过程中衬底温度 ,发光层厚度 ,退火等。 |
| 关 键 词： | 稀土 电致发光 磁控溅射 电子束蒸发 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |