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| 直拉硅单晶位错与微缺陷的产生原理及其检测方法 | |
| 引用本文： | 李孟,刘俊飞.直拉硅单晶位错与微缺陷的产生原理及其检测方法[J].物理通报,2013(2):121-123. |
| 作者姓名： | 李孟 刘俊飞 |
| 作者单位： | 英利绿色能源控股有限公司 河北保定 071000 |
| 摘 要： | 详细介绍了直拉单晶位错和微缺陷的产生原理,以及位错与微缺陷的一种检测方法. |
| 关 键 词： | 单晶 缺陷 位错 腐蚀 |
Generation Principle and Detection Methods on Straight Pulling Silicon Single Crystal Dislocation and Micro Defects |
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| Authors: | Li Meng Liu Junfei |
| Institution: | Li Meng Liu Junfei (Yingli Green Energy Holding Co,Ltd,Hebei,Baoding 071002) |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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