| 类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用 |
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| 引用本文： | 尤运城,曾甜,刘劲松,胡廷松,台国安. 类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用[J]. 化学进展, 2015, 27(11): 1578-1590. DOI: 10.7536/PC150433 |
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| 作者姓名： | 尤运城 曾甜 刘劲松 胡廷松 台国安 |
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| 作者单位： | 1. 南京航空航天大学航空宇航学院 机械结构与控制国家重点实验室 纳智能材料器件教育部重点实验室和纳米科学研究所 南京 210016;2. 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京 210016 |
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| 基金项目： | 南京航空航天大学基本科研业务费(No.NS2013095)资助 |
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| 摘 要： | 类石墨烯过渡金属硫属化合物如MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注。尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用。近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如MoS2, MoSe2, WS2 和WSe2)原子层薄膜。目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道。因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评。
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| 关 键 词： | WS2薄膜 化学气相沉积法 晶体管 异质结构 光电器件 |
| 收稿时间： | 2015-04-01 |
| 修稿时间： | 2015-06-01 |
Chemical Vapor Deposition and Application of Graphene-Like Tungsten Disulfide |
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| You Yuncheng,Zeng Tian,Liu Jinsong,Hu Tingsong,Tai Guoan. Chemical Vapor Deposition and Application of Graphene-Like Tungsten Disulfide[J]. Progress in Chemistry, 2015, 27(11): 1578-1590. DOI: 10.7536/PC150433 |
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| Authors: | You Yuncheng Zeng Tian Liu Jinsong Hu Tingsong Tai Guoan |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education and Institute of Nanoscience, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China;
2. College of Material Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | WS2 thin film chemical vapor deposition transistor heterostructure photoelectric device |
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