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Ce:YAP晶体生长和光谱性质
引用本文:章连文,朱世富,王永国,杨浔,李玉明,徐学珍,桂尤喜.Ce:YAP晶体生长和光谱性质[J].人工晶体学报,2002,31(1):54-57.
作者姓名:章连文  朱世富  王永国  杨浔  李玉明  徐学珍  桂尤喜
作者单位:四川大学材料科学系,成都,610064;华北光电技术研究所,北京,100015
基金项目:瑞士欧洲核子中心资助项目
摘    要:本文报道了用中频感应加热提拉法生长Ce:YAP晶体,晶体尺寸为35mm×80mm.在部分晶体中观察到了开裂、解理、孪晶、云层、核心和生长层等宏观缺陷,分析了缺陷与晶体生长温度梯度等因素的关系,对晶体样品进行了吸收光谱和荧光光谱分析.

关 键 词:Ce:YAP  闪烁晶体  晶体生长  缺陷观察  光谱分析  
文章编号:1000-985X(2002)01-0054-04
修稿时间:2001年8月24日

Growth and Optical Spectra of Ce:YAP Crystal
Abstract:
Keywords:Ce:YAP
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