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| MOS器件三维数值模拟 | |
| 引用本文： | 陈大同,吴启明,王泽毅,李志坚.MOS器件三维数值模拟[J].半导体学报,1987,8(4):371-377. |
| 作者姓名： | 陈大同 吴启明 王泽毅 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所计算机系 (陈大同，吴启明，王泽毅)，清华大学微电子所计算机系(李志坚) |
| 摘 要： | <正> 随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维数值模拟逐渐成为半导体器件研究中的一个重要工具. |
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