| SU-8胶深紫外光刻模拟 |
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| 引用本文： | 冯明,黄庆安,李伟华,周再发,朱真.SU-8胶深紫外光刻模拟[J].半导体学报,2007,28(9). |
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| 作者姓名： | 冯明 黄庆安 李伟华 周再发 朱真 |
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| 作者单位： | 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
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| 摘 要： | 综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.
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| 关 键 词： | SU-8胶 光刻模拟 显影轮廓 |
Simulation of SU-8 Photoresist Profile in Deep UV Lithography |
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| Feng Ming,Huang Qing'an,Li Weihua,Zhou Zaifa,Zhu Zhen.Simulation of SU-8 Photoresist Profile in Deep UV Lithography[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9). |
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| Authors: | Feng Ming Huang Qing'an Li Weihua Zhou Zaifa Zhu Zhen |
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| Keywords: | |
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