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Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
引用本文:郑玉宏,赵建华,毕京锋,王玮竹,邓加军,夏建白.Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质[J].半导体学报,2007,28(Z1).
作者姓名:郑玉宏  赵建华  毕京锋  王玮竹  邓加军  夏建白
作者单位:1. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科技大学物理系,合肥,230026
基金项目:国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.

关 键 词:稀磁半导体  铁磁性  分子束外延

Growth and Characterization of Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots
Zheng Yuhong,Zhao Jianhua,Bi Jingfeng,Wang Weizhu,Deng Jiajun,Xia Jianbai.Growth and Characterization of Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1).
Authors:Zheng Yuhong  Zhao Jianhua  Bi Jingfeng  Wang Weizhu  Deng Jiajun  Xia Jianbai
Abstract:
Keywords:
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