| 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器 |
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| 引用本文： | 赵凯,刘忠立,于芳,高见头,肖志强,洪根深.抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器[J].半导体学报,2007,28(7). |
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| 作者姓名： | 赵凯 刘忠立 于芳 高见头 肖志强 洪根深 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;传感器技术国家重点实验室,北京,100083
2. 中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×1011 rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
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| 关 键 词： | 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 加固设计 |
Radiation-Hardened 128kb PDSOI CMOS Static RAM |
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| Zhao Kai,Liu Zhongli,Yu Fang,Gao Jiantou,Xiao Zhiqiang,Hong Genshen.Radiation-Hardened 128kb PDSOI CMOS Static RAM[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7). |
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| Authors: | Zhao Kai Liu Zhongli Yu Fang Gao Jiantou Xiao Zhiqiang Hong Genshen |
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