|
|||||
|
|
| LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备 | |
| 引用本文： | 毕臻,张景文,边旭明,王东,张新安,侯洵. LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备[J]. 半导体学报, 2007, 28(8) |
| 作者姓名： | 毕臻 张景文 边旭明 王东 张新安 侯洵 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学理学院,西安,710049;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 2. 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049 3. 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目，河南省高校杰出科研创新人才工程项目 |
| 摘 要： | 采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs. |
| 关 键 词： | Mg0.2Zn0.8O薄膜 紫外探测器 响应时间 |
MSM Ultraviolet Photodetector of Mg0.2Zn0.8O by LMBE |
|
| Bi Zhen,Zhang Jingwen,Bian Xuming,Wang Dong,Zhang Xin'an,Hou Xun. MSM Ultraviolet Photodetector of Mg0.2Zn0.8O by LMBE[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(8) | |
| Authors: | Bi Zhen Zhang Jingwen Bian Xuming Wang Dong Zhang Xin'an Hou Xun |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |