| 一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制 |
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| 引用本文： | 齐海涛,冯震,李亚丽,张雄文,商耀辉,郭维廉. 一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制[J]. 半导体学报, 2007, 28(12) |
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| 作者姓名： | 齐海涛 冯震 李亚丽 张雄文 商耀辉 郭维廉 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国防重点实验室基金，中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.
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| 关 键 词： | 谐振隧穿二极管 InP 负阻 阻性截止频率 |
Fabrication of a High-Performance RTD on InP Substrate |
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| Qi Haitao,Feng Zhen,Li Yali,Zhang Xiongwen,Shang Yaohui,Guo Weilian. Fabrication of a High-Performance RTD on InP Substrate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(12) |
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| Authors: | Qi Haitao Feng Zhen Li Yali Zhang Xiongwen Shang Yaohui Guo Weilian |
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