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空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
引用本文:赵有文,吕小红,董志远,段满龙,孙文荣. 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1)
作者姓名:赵有文  吕小红  董志远  段满龙  孙文荣
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京,100083
摘    要:利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.

关 键 词:磷化铟  半绝缘  空位  填隙

Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal
Zhao Youwen,Lü Xiaohong,Dong Zhiyuan,Duan Manlong,Sun Wenrong. Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1)
Authors:Zhao Youwen  Lü Xiaohong  Dong Zhiyuan  Duan Manlong  Sun Wenrong
Abstract:
Keywords:
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