| InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究 |
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| 引用本文： | 陈志忠,徐科,秦志新,于彤军,童玉珍,宋金德,林亮,刘鹏,齐胜利,张国义.InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究[J].半导体学报,2007,28(7). |
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| 作者姓名： | 陈志忠 徐科 秦志新 于彤军 童玉珍 宋金德 林亮 刘鹏 齐胜利 张国义 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
2. 江苏伯乐达光电科技有限公司,盐,城224002 |
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| 摘 要： | 研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.
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| 关 键 词： | 氮化镓 发光二极管 多量子阱 透射电子显微镜 电致发光谱 阴极荧光谱 |
Origins of Double Emission Peaks in Electroluminescence Spectrum from InGaN/GaN MQW LED |
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| Chen Zhizhong,Xu Ke,Qin Zhixin,Yu Tongjun,Tong Yuzhen,Song Jinde,Lin Liang,Liu Peng,Qi Shengli,Zhang Guoyi.Origins of Double Emission Peaks in Electroluminescence Spectrum from InGaN/GaN MQW LED[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7). |
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| Authors: | Chen Zhizhong Xu Ke Qin Zhixin Yu Tongjun Tong Yuzhen Song Jinde Lin Liang Liu Peng Qi Shengli Zhang Guoyi |
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