| ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究 |
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| 引用本文： | 周建伟,刘玉岭,张伟.ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 周建伟 刘玉岭 张伟 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析,总结了影响硅片表面质量的主要影响因素,提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法,在研磨加工过程中减少强烈的、单一的机械作用,增加化学作用.通过实验研究得出了研磨速率提高20%,表面粗糙度降低,有效地降低了硅片表面损伤.
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| 关 键 词： | 硅片 CMP 表面活性剂 研磨速率 粗糙度 |
Study of CMP Lapping Technique of ULSI Silicon Substrate |
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| Zhou Jianwei,Liu Yuling,Zhang Wei.Study of CMP Lapping Technique of ULSI Silicon Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Zhou Jianwei Liu Yuling Zhang Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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