| m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性 |
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| 引用本文： | 谢自力,张荣,韩平,刘成祥,修向前,刘斌,李亮,赵红,朱顺明,江若琏,周圣明,施毅,郑有炓.m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 谢自力 张荣 韩平 刘成祥 修向前 刘斌 李亮 赵红 朱顺明 江若琏 周圣明 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093
2. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，教育部科学技术研究项目，教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
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| 关 键 词： | MOCVD m面 非极化 GaN |
Growth and Characterization of m Plane GaN Material by MOCVD |
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| Xie Zili,Zhang Rong,Han Ping,Liu Chengxiang,Xiu XiangQian,Liu Bin,Li Liang,Zhao Hong,Zhu Shunming,Jiang Ruolian,Zhou Shengming,Shi Yi,Zheng Youdou.Growth and Characterization of m Plane GaN Material by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Xie Zili Zhang Rong Han Ping Liu Chengxiang Xiu XiangQian Liu Bin Li Liang Zhao Hong Zhu Shunming Jiang Ruolian Zhou Shengming Shi Yi Zheng Youdou |
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