| 表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响 |
| |
| 引用本文： | Zhao Desheng,赵德胜,张书明,朱建军,赵德刚,段俐宏,张宝顺,杨辉. 表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
| |
| 作者姓名： | Zhao Desheng 赵德胜 张书明 朱建军 赵德刚 段俐宏 张宝顺 杨辉 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;长春理工大学,长春,130022
2. 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 高功率半导体激光器国家重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | 研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效地去除p-GaN表面的氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性.
|
| 关 键 词： | 王水 p-GaN Ni/Au XPS 比接触电阻率 |
Effect of Surface Treatment on p-GaN Ohmic Contact Property |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
