| ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟 |
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| 引用本文： | 刘松民,顾书林,朱顺明,叶建东,刘伟,张荣,郑有炓.ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 刘松民 顾书林 朱顺明 叶建东 刘伟 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.
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| 关 键 词： | ZnO MOCVD 数值模拟 |
Simulation of the ZnO-MOCVD Horizontal Reactor Geometry |
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| Liu Songmin,Gu Shulin,Zhu Shunming,Ye Jiandong,Liu Wei,Zhang Rong,Zheng Youdou.Simulation of the ZnO-MOCVD Horizontal Reactor Geometry[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Liu Songmin Gu Shulin Zhu Shunming Ye Jiandong Liu Wei Zhang Rong Zheng Youdou |
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