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| 台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响 | |
| 引用本文： | 刘兴昉,孙国胜,李晋闽,赵永梅,宁瑾,王雷,赵万顺,罗木昌,李家业,曾一平.台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
| 作者姓名： | 刘兴昉 孙国胜 李晋闽 赵永梅 宁瑾 王雷 赵万顺 罗木昌 李家业 曾一平 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院传感技术国家重点实验室,北京,100083 2. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 3. 中国科学院传感技术国家重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n层和n+衬底组成.在探测器#1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和层以及p层制备出探测器#2,#3和#4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器#2,其次是探测器#4,#1,#3,其中探测器#2比其他类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器#1位于341nm处,探测器#2,#3和#4分别在312,305和297nm处. |
| 关 键 词： | 4H-SiC 紫外探测器 台面结构 光窗口 |
Effect of Mesa Structures on the Responsivities of 4H-SiC Photodetectors |
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| Liu Xingfang,Sun Guosheng,Li Jinmin,Zhao Yongmei,Ning Jin,Wang Lei,Zhao Wanshun,Luo Muchang,Li Jiaye,Zeng Yiping.Effect of Mesa Structures on the Responsivities of 4H-SiC Photodetectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). | |
| Authors: | Liu Xingfang Sun Guosheng Li Jinmin Zhao Yongmei Ning Jin Wang Lei Zhao Wanshun Luo Muchang Li Jiaye Zeng Yiping |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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