| 生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,徐伟中,朱丽萍,赵炳辉.生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
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| 关 键 词： | ZnO p型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 |
Effects of Growth Parameters on Proprties of p-Type ZnO Films Grown by MOCVD |
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| Lu Yangfan,Ye Zhizhen,Zeng Yujia,Xu Weizhong,Zhu Liping,Zhao Binghui.Effects of Growth Parameters on Proprties of p-Type ZnO Films Grown by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Lu Yangfan Ye Zhizhen Zeng Yujia Xu Weizhong Zhu Liping Zhao Binghui |
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