| 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响 |
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| 引用本文： | 张庆钊,谢长青,刘明,李兵,朱效立.90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响[J].半导体学报,2007,28(10). |
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| 作者姓名： | 张庆钊 谢长青 刘明 李兵 朱效立 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.
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| 关 键 词： | 等离子体 鞘层理论 干法刻蚀 朗谬尔探针 |
Effect of Power on Property of Plasma in Polysilicon Gate over Etch Process |
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| Zhang Qingzhao,Xie Changqing,Liu Ming,Li Bing,Zhu Xiaoli.Effect of Power on Property of Plasma in Polysilicon Gate over Etch Process[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(10). |
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| Authors: | Zhang Qingzhao Xie Changqing Liu Ming Li Bing Zhu Xiaoli |
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