| 直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀 |
| |
| 引用本文： | 李战春,尹盛,赵亮,王敬义.直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀[J].华中科技大学学报(自然科学版),2008,36(7). |
| |
| 作者姓名： | 李战春 尹盛 赵亮 王敬义 |
| |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学网络与计算中心 湖北,武汉,430074
2. 华中科技大学电子科学技术系,湖北武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀.使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建芷了包括高能中性粒子贡献的刎蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×1015/(cm2·s)以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5～10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现.
|
| 关 键 词： | 等离子体 粉粒表面刻蚀 沉降时间 刻蚀速率 |
Surface etching of silicon particulates between vertical planar electrodes |
| |
| Li Zhanchun,Yin Sheng,Zhao Liang,Wang Jing yi.Surface etching of silicon particulates between vertical planar electrodes[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2008,36(7). |
| |
| Authors: | Li Zhanchun Yin Sheng Zhao Liang Wang Jing yi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
