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| 电子束光刻的邻近效应及其模拟 | |
| 作者姓名： | 孙霞 尤四方 肖沛 丁泽军 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学,结构分析重点实验室,物理系,合肥 230026 |
| 摘 要： | 用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素——邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.
关键词：
电子束光刻
邻近效应
Monte Carlo |
| 关 键 词： | 电子束光刻 邻近效应 Monte Carlo |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55(01)/0148-07 |
| 收稿时间： | 2004-12-14 |
| 修稿时间： | 2005-03-08 |
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