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| 0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性 | |
| 作者姓名： | 赵毅 万星拱 |
| 作者单位： | (1)东京大学材料系,东京113-8656,日本; (2)上海集成电路研发中心,上海 201203 |
| 摘 要： | 用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词：
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 |
| 关 键 词： | 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量 |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55（06）/3003-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-27 |
| 修稿时间： | 2005-10-272005-11-07 |
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